北京DKDG3系列单项进线电抗器

加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称导通；加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称截止。这就是的DKDG3系列单项进线电抗器。

在p-n结势垒区中总是或多或少地存在一些复合中心（由的杂质、缺陷所造成）。在正向电压下，即有大量载流子通过势垒区，则这些复合中心就将要复合载流子而产生额外的所谓复合电流；于是，在总的正向电流中就需要加上这部分复合电流。不过，对于Si-，复合电流一般所占的比例较小，只有在小电流时，复合电流才显得突出而重要。（BJT在小电流时的电流放大系数较低，其主要原因就是发射结复合电流的影响。在反向电压下，势垒区中   加缺乏载流子，则势垒区中的复合中心将要产生出额外的载流子和相应的反向电流。因此，总的反向电流就包含有扩散电流和产生电流两个成分。

电路对每个导电回路进行控制，与单相桥式半控整流电路相比，不会失控现象，负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。正负两个半周电流方向相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变压器直流磁化问题，变压器的利用率也高。

单项进线电抗器具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器的优点。

单项进线其输出平均电压是半波整流电路2倍，在相同的负载下流过晶闸管的平均电流减小一半，且功率因数提高了一半。

正偏

加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区

外电场的方向与内电场方向相反。

外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）IF

反偏

加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区

外电场的方向与内电场方向相同。

外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>>扩散运动→少子漂移形成反向电流IR